均一粒径微粉 ホワイトアルミナ #6000 - 高純度α-Al₂O₃ 単分散粒子・精密CMP・ナノテクノロジー専用

現代の最先端製造業、特に半導体、精密光学、ナノテクノロジーの分野では、材料表面の「平坦性」と「清浄度」は、デバイスの性能をナノメートル単位で制御する上で最も重要な要素となっています。これらの分野で使用される研磨材には、粒子の大きさが均一であること(単分散性)が極めて重要になります。なぜなら、粒子の大きさがばらつくと、研磨時に意図しない深い傷が発生したり、表面の平坦性が損なわれたりするからです。均一粒径微粉 ホワイトアルミナ #6000は、このような課題を解決するために開発された、高純度α-Al₂O₃系の極微細研磨材です。本製品は、独自の分級技術により、極めてシャープな粒度分布を実現し、日本工業規格(JIS R 6121)およびFEPA国際規格に準拠した品質管理のもと、ナノレベルの表面平坦化とプロセスの安定化に貢献します。

製品技術仕様

加工カスタマイズ: 対応可能(JIS/FEPA規格粒度分布の厳密なD50制御、単分散性の最適化、CMP用分散剤の事前配合)

種類: 均一粒径研磨用ホワイトアルミナ微粉(α相アルミナ 超高純度タイプ)

品名: 高純度α-Al₂O₃ 単分散粒子・精密CMP用 #6000 微粒子

純度: Al₂O₃ ≥ 99.95%(ICP-MS分析による。Na、K、Ca、Feなどのアルカリおよび重金属不純物を総計10ppm以下に抑制)

粒度: JIS #6000 / FEPA P6000相当(主粒径範囲 2.5μm - 3.5μm、D50値で3.0μm前後に高精度制御、粒度幅±0.2μm)

包装仕様: 500g/クラス100クリーンルーム対応容器、25kg/窒素封入ステンレスドラム

形態: 六方晶系、準球状化処理済み(粒子表面の曲率半径を最大化し、擦過傷を根絶)

カスタマイズ対応: 可能(お客様のスラリー粘度要件に合わせた固形分調整、静電気防止コーティング)

型番: WAG-JP-6000-MonoDisperse

適用範囲: 半導体SiC/GaNウェハーのCMP、精密光学レンズの超仕上げ、光通信ファイバーの端面研磨、ナノテクノロジー分野の表面改質

製品別名: WA #6000、単分散アルミナ、均一粒径研磨材、狭帯域分布微粉

規格と用途: 硬脆材料の化学機械研磨(CMP)、ウェハー表面のグローバル平坦化、光学部品の透過率向上、ナノテクノロジー分野の表面改質

製品のコアコンピタンス(核心優勢)

本製品の最大の技術的優位性は、「独自の分級技術によって実現された『単分散性』と、水系スラリー中での『優れた分散安定性』」にあります。一般的な研磨材は、製造ロットごとに粒度分布が広がりやすく、これが研磨後の表面粗さのばらつきの原因となります。当社の#6000製品は、D50値(中位径)を中心として、粒度幅を±0.2μmという極狭い範囲に厳密に制御しています。これにより、意図しない粗大粒子の混入を排除し、ロット間での品質差を限りなくゼロに近づけます。

さらに、99.95%という高純度により、半導体や光学部品のように、微量な金属イオン汚染が製品特性に悪影響を与える分野において、絶対的な信頼性を提供します。また、準球状に整形された粒子は、被研磨物に過剰な応力を与えることなく、効率的に表面を平坦化するため、スクラッチ(傷)の発生を最小限に抑えることができます。これにより、高価なウェハーや光学部品の歩留まりを劇的に向上させることが可能です。

応用シーンと付加価値

次世代パワー半導体材料として注目されるSiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)ウェハーの製造プロセスでは、従来の研磨方法では困難だったナノレベルの平坦化が求められます。本製品は、これらの超硬質材料に対して高い材料除去能力と優れた表面品位を両立し、高品質なエピタキシャル成長のための基盤を構築します。

また、精密光学機器の分野では、デジタルカメラのレンズやプリズムの表面を原子レベルで平滑化し、光の損失を最小限に抑えるために不可欠なツールです。これにより、高速大容量通信の信頼性を確保します。さらに、ナノテクノロジーの分野では、粒子の大きさが均一であることにより、規則正しい自己組織化構造を形成するためのテンプレートとして活用されています。このように、本製品は単なる研磨材ではなく、次世代技術を支える「イネーブリングテクノロジー」として、その重要性を増し続けています。

中国本土の正規メーカーより、企業間取引(B2B)に対応。正式な通関手続きおよび商業請求書の発行が可能です。
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